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品牌 : KYOSEMI京都半导体
型号:
规格:
点击率 : 55
雪崩光电二极管是通过施加反向偏置电压来使光电子倍增的半导体元件。
通过进行增倍,可从光电二极管获得较大的光电流。适用于检测微弱光等。本公司还可提供能施加较高反向偏置电压的APD模块。
型号 | 制品名 | 光接收尺寸(Typ.[?m]) | 检测波长(MIN[nm]) | 检测波长(MAX[nm]) | 截止频率(截止频率) | 截止频率(条件) | 响应率(Typ.[A/W]) | 响应率(条件) | 封装 |
KPDEA007-56F | KP-A InGaAs雪崩光电二极管 | - | 900 | 1700 | 2 | M=10 |
0.90 1.05 |
- | TO-CAN |
KPDEA005-56F | KP-A InGaAs雪崩光电二极管 | - | 900 | 1700 | 3 | M=10 |
0.95 1.05 |
- | TO-CAN |
KPDA100P-H8 | KP-A Si雪崩光电二极管 | - | 400 | 1000 | 0.6 | M=100 RL=50Ω λ=850nm | 0.45 | - | TO-CAN |
KPDA050P-H8 | KP-A Si雪崩光电二极管 | - | 400 | 1000 | 1.2 | M=100 RL=50Ω λ=850nm | 0.45 | - | TO-CAN |
KPDA020P-H8 | KP-A Si雪崩光电二极管 | - | 400 | 1000 | 1.3 | M=100 RL=50Ω λ=850nm | 0.45 | - | TO-CAN |
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