光电二极管_奎宇资讯股份有限公司，于1984年10月成立于台北。致力于日系YAMAHA-雅玛哈、MITSUMI-美上美、INTERCHIP、KURABE-克拉比、KEL-科陆电子、灿瑞、汉能、GCI 、ESMT晶豪、钰宝科技、智微科技 JMicron、EXPLORE微驱、Inergy广闳、深聪智能、裕芯电子、Kyosemi京都半导体、昱盛电子等品牌产品之代理。

型号制品名光接收尺寸(Typ.[mm]) 检测波长(MIN[nm]) 检测波长(MAX[nm]) 带宽(Typ.)

KPDEH16LC KP-H InGaAs光电二极管 φ0.04 900 1700 32GHz

KPDEH16L-CC1D KP-H InGaAs光电二极管 φ0.04 900 1700 35GHz

KPDE10GC-V2 KP-R 接收器用InGaAs光电二极管 φ0.028 900 1700 14GHz

KPDE008LS-A-RA-HQ KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.08 900 1700 2.0GHz

KPDE030S-A KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.3 900 1700 0.6GHz

KPDE020S-A KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.2 900 1700 1.0GHz

KPDE008S-A KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.08 900 1700 2.0GHz

KPDE008S-D KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.08 900 1700 2.0GHz

KPDE030SL-H8 KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.3 900 1700 600MHz

KPDE030SA-TU KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.3 900 1700 600MHz

KPDE030-S KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.3 900 1700 0.6GHz

KPDE030-H8 KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.3 900 1700 600MHz

KPDE020-S KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 Φ0.2 900 1700 1.0GHz

KPDE020-H8 KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 Φ0.2 900 1700 1.0GHz

KPDE008S-TU KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.08 900 1700 2.0GHz

KPDE008-S KP-M 监测器用InGaAs光电二极管 φ0.08 900 1700 2.0GHz

KPEIMC-UDCOM KP-E 端面入射型InGaAs光电二极管 □0.1x0.12 900 1700 1.5GHz

KPEIMC-100 KP-E 端面入射型InGaAs光电二极管 □0.1x0.08 900 1700 1.5GHz

KPDF030F26-H8 长波长InGaAs光电二极管 φ0.3 1200 2700 -

KPDF030F22-H8 长波长InGaAs光电二极管 φ0.3 1200 2300 -

KPC8H-FC 光伏电源转换器 - 1300 1600 -

KPC8-T 光伏电源转换器 - 1300 1600 -

KPDE086S-H85P InGaAs光电二极管（带半导体电子制冷片） □0.86x0.86 900 1700 -

KPID020DS-S Si光电二极管 φ0.2 400 1000 2.0GHz

KPID050M-H8 Si光电二极管 φ0.5 400 1000 -

KPID020D-H8 Si光电二极管 Φ0.2 400 1000 -

KPD151M53 Si光电二极管 □1.25x1.25 400 1100 -

KPD104M51 Si光电二极管 □0.81x0.81 400 1100 -

KPD101M51 Si光电二极管 □0.81x0.81 400 1100 -

KPD104M32 Si光电二极管 □0.81x0.81 400 1100 -

KPD101M32 Si光电二极管 □0.81x0.81 400 1100 -

KPD101M31 Si光电二极管 □0.81x0.81 400 1100 -

KPD31S Si光电二极管 □2.80x0.80 400 1100 -

KPD30S Si光电二极管 □2.59x2.59 400 1100 -

KPD1803K Si光电二极管 □1.30x1.60 400 1100 -

KPD1803H Si光电二极管 □1.30x1.60 400 1100 -

KPD1801H Si光电二极管 □1.30x1.60 400 1100 -

KPID1301H Si光电二极管 □1.10x1.10 400 1100 -

KPD1203K Si光电二极管 □0.92x0.92 400 1100 -

KPD1203H Si光电二极管 □0.92x0.92 400 1100 -

KPD1201H Si光电二极管 □0.92x0.92 400 1100 -

KPD3212 Si光电二极管阵列 □1.5x1.0 400 1100 -

KPDG020C GaAs光电二极管 φ0.2 650 880 1.0GHz

KPDG008-H8 GaAs光电二极管 φ0.08 650 880 4.0GHz

KPMC24B KP-2 双波长光电二极管 Si □2.2 x 2.2
InGaAs □0.86 x 0.86 400
900 1000
1700 -

KPMC29 KP-2 双波长光电二极管 Si □2.2 x 2.2
InGaAs □0.86 x 0.86 400
900 1000
1700 -

KPDU086SU31-H11Q GaN UV传感器 □0.86x0.86 200 320 -

KPDU086SU27-H11Q GaN UV传感器 □0.86x0.86 200 290 -

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型号	制品名	光接收尺寸(Typ.[mm])	检测波长(MIN[nm])	检测波长(MAX[nm])	带宽(Typ.)
KPDEH16LC	KP-H InGaAs光电二极管	φ0.04	900	1700	32GHz
KPDEH16L-CC1D	KP-H InGaAs光电二极管	φ0.04	900	1700	35GHz
KPDE10GC-V2	KP-R 接收器用InGaAs光电二极管	φ0.028	900	1700	14GHz
KPDE008LS-A-RA-HQ	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.08	900	1700	2.0GHz
KPDE030S-A	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.3	900	1700	0.6GHz
KPDE020S-A	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.2	900	1700	1.0GHz
KPDE008S-A	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.08	900	1700	2.0GHz
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KPDE030SL-H8	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.3	900	1700	600MHz
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KPDE008S-TU	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.08	900	1700	2.0GHz
KPDE008-S	KP-M 监测器用InGaAs光电二极管	φ0.08	900	1700	2.0GHz
KPEIMC-UDCOM	KP-E 端面入射型InGaAs光电二极管	□0.1x0.12	900	1700	1.5GHz
KPEIMC-100	KP-E 端面入射型InGaAs光电二极管	□0.1x0.08	900	1700	1.5GHz
KPDF030F26-H8	长波长InGaAs光电二极管	φ0.3	1200	2700	-
KPDF030F22-H8	长波长InGaAs光电二极管	φ0.3	1200	2300	-
KPC8H-FC	光伏电源转换器	-	1300	1600	-
KPC8-T	光伏电源转换器	-	1300	1600	-
KPDE086S-H85P	InGaAs光电二极管（带半导体电子制冷片）	□0.86x0.86	900	1700	-
KPID020DS-S	Si光电二极管	φ0.2	400	1000	2.0GHz
KPID050M-H8	Si光电二极管	φ0.5	400	1000	-
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KPD151M53	Si光电二极管	□1.25x1.25	400	1100	-
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